近紅外半導(dǎo)體檢查SWIR冷卻相機
近紅外半導(dǎo)體檢查SWIR冷卻相機
穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

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穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

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穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

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穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

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穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

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穿透硅材料，適用于半導(dǎo)體檢測，具有高分辨率成像（可達(dá)1280×1024），能夠識別材料化學(xué)成分差異，以及對溫度變化不敏感等優(yōu)勢。這些特性使得SWIR相機在半導(dǎo)體晶圓檢測中能夠穿透硅材料成像，定位內(nèi)部缺陷（分辨率達(dá)10μm）

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