日本napson熱電接觸式PN判斷器

PN判斷

• PN-12α
• PN-50α
• PN-8LP
• PN-100BI

熱電接觸式PN判斷器

產(chǎn)品名稱：PN-12α

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點

通過接觸筆式探頭（熱/冷探頭集成類型）確定樣品的導(dǎo)電類型（PN）

兼容單晶硅晶圓，塊狀和錠狀

*對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/單獨類型。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

30x30mm以上

測量范圍

可以通過PN確定的樣品電阻范圍：大約1 m至20kΩ·cm 
*對于多晶硅，帶有薄膜的晶片，具有鏡面或氧化表面的樣品等，尚不確定。

PN判斷

• PN-12α
• PN-50α
• PN-8LP
• PN-100BI

熱電接觸式PN判斷器

產(chǎn)品名稱：PN-12α

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點

通過接觸筆式探頭（熱/冷探頭集成類型）確定樣品的導(dǎo)電類型（PN）

兼容單晶硅晶圓，塊狀和錠狀

*對于難以使用集成探頭判斷的樣品，您還可以選擇熱/冷探頭/單獨類型。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

30x30mm以上

測量范圍

可以通過PN確定的樣品電阻范圍：大約1 m至20kΩ·cm 
*對于多晶硅，帶有薄膜的晶片，具有鏡面或氧化表面的樣品等，尚不確定。

日本napson熱電接觸式PN判斷器